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Raman signatures of pressure induced electronic topological and structural transitions in Bi2Te3

机译:压力诱导电子拓扑和拉曼的拉曼特征   Bi2Te3中的结构转变

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摘要

We report Raman signatures of electronic topological transition (ETT) at 3.6GPa and rhombohedral ({\alpha}-Bi2Te3) to monoclinic ({\beta}-Bi2Te3)structural transition at ~ 8 GPa. At the onset of ETT, a new Raman mode appearsnear 107 cm-1 which is dispersionless with pressure. The structural transitionat ~ 8 GPa is marked by a change in pressure derivative of A1g and Eg modefrequencies as well as by appearance of new modes near 115 cm-1and 135 cm-1.The mode Gr\"uneisen parameters are determined in both the {\alpha} and{\beta}-phases.
机译:我们报告了3.6GPa的电子拓扑转变(ETT)和菱形({\ alpha} -Bi2Te3)到单斜({\ beta} -Bi2Te3)结构转变在〜8 GPa的拉曼信号。 ETT开始出现时,在107 cm-1附近出现了新的拉曼模式,该模式在压力下不会分散。在〜8 GPa处的结构转变以A1g和Eg模态频率的压力导数的变化以及在115 cm-1和135 cm-1附近出现新的模态为标志。 \ alpha}和{\ beta}阶段。

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